RM6601 RM6602 RM6604 副邊反饋SSR+QR隔離開關(guān)電源芯片
RM6601NDQ是一款高性能高可靠性準(zhǔn)諧振電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機(jī)功耗小于75mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。RM6601NDQ集成多種工作模式，最大支持130Khz工作頻率，在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關(guān)損耗，同時(shí)結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6601NDQ采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù)，直驅(qū)E-mode GaN FET；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時(shí)在該模式下，RM6601NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機(jī)功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6601NDQ同時(shí)集成了多種保護(hù)模式和補(bǔ)償電路，包括VCCOVP,內(nèi)置OTP，外置OVP,欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護(hù)0CP，過載保護(hù)（OLP)，輸出肖特基短路保護(hù)等，并內(nèi)置斜坡補(bǔ)償功能。
RM6602NDQ是一款內(nèi)置650V GaNFET,高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機(jī)功耗小于65mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)，QR工作模式，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。RM6602NDQ集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻130Khz的PWM模式下；在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關(guān)損耗，同時(shí)結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6602NDQ采用專有的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設(shè)計(jì)；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時(shí)在該模式下，RM6602NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機(jī)功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6602NDQ同時(shí)集成了多種保護(hù)模式和補(bǔ)償電路，包括VCCOVP，內(nèi)置OTP，外置OVP，欠壓鎖定（uvlo），逐周期過流保護(hù)OCP，過載保護(hù)（OLP），輸出肖特基短路保護(hù)等，并內(nèi)置斜坡補(bǔ)償。
RM6604NDQ是一款內(nèi)置650V GaNFET,高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機(jī)功耗小于65mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)，QR工作模式，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。RM6604NDQ集成多種工作模式，最大支持130Khz工作頻率，在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關(guān)損耗，同時(shí)結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6604NDQ采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù)，直驅(qū)E-mode GaN FET；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時(shí)在該模式下，RM6604NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機(jī)功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。RM6604NDQ同時(shí)集成了多種保護(hù)模式和補(bǔ)償電路，包括VCCOVP，內(nèi)置OTP,外置OVP，欠壓鎖定（uvlo），逐周期過流保護(hù)OCP,過載保護(hù)（OLP），輸出肖特基短路保護(hù)等，并內(nèi)置斜坡補(bǔ)償。
準(zhǔn)諧振工作模式;
內(nèi)置700V高壓啟動(dòng)； 內(nèi)置650V GaNFET;
支持最大130KHz工作頻率； 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI；
Burst Mode去噪音；
低啟動(dòng)電流（2uA)，低工作電流； 集成斜坡補(bǔ)償；
集成輸入Brown out/in 功能； 外置OVP保護(hù)；
具有輸出肖特基短路保護(hù)；
內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLPUVLO等多種保護(hù)。
應(yīng)用領(lǐng)域 電源適配器 開放式電源 TV/機(jī)頂盒電源 PD快充電器
原理圖僅供參考 以規(guī)格書為準(zhǔn)
副邊反饋（SSR）+QR
| 產(chǎn)品型號(hào) | 功能特點(diǎn) | 典型功率 | 功率器件 | 最大頻率 | 封裝形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6514S | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6515D | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6517D | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 30W/36W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6510T | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6500SA | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6522SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 15W/18W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6500S | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6526D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 25W/30W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6523D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 18W/20W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6522D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 12W/15W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524SAL | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6524SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SAL | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6523SAH | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6528NS | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 20W/25W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | ESOP-8 |
| RM6524NDH | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 45W/50W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6524ND | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 35W/45W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN5*6 |
| RM6522ND | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 60W/65W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6520SDQ | ?壓啟動(dòng) ?壓VCC QR/?底開通模式 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520NDQ | ?壓啟動(dòng) ?壓VCC QR/?底開通模式 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520SL | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6520TN | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6604NDQ | 高壓啟動(dòng)，QR，內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動(dòng)器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 36W/40W | 內(nèi)置GaN | 130kHz | DFN5*6 |
| RM6602NDQ | 高壓啟動(dòng)，QR，內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動(dòng)器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 65W/70W | 內(nèi)置GaN | 130kHz | DFN8*8 |
| RM6601NDQ | 高壓啟動(dòng)，QR,集成GaN驅(qū)動(dòng)器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置GaN | 130kHz | SOP-8 |
| RM6520TL | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6520T | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6520S | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 100KHZ | SOP-8 |
